CSD87503Q3ET

功能描述:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

零件状态:在售

FET 类型:2 N 沟道(双)共源

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 15V

功率 - 最大值:15.6W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3)

标准包装:1

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